limЛитье и металлургияLitiyo i Metallurgiya (FOUNDRY PRODUCTION AND METALLURGY)1683-60652414-0406BNTU10.21122/1683-6065-2023-1-112-117lim-3554Research ArticleМатериаловедениеScience of materialsАртефакты в металлографии: ямки травленияArtifacts in metallography: etching pitsАнисовичА. Г.AnisovichA. G.anna-anisovich@yandex.ruИнститут прикладной физики НАН БеларусиБеларусьInstitute of Applied Physics of the National Academy of Sciences of BelarusBelarus20231303202301112117Copyright © Анисович А.Г., 20232023Анисович А.Г.Anisovich A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://lim.bntu.by/jour/article/view/3554

В статье в качестве артефакта рассмотрены ямки травления, возникающие в металлах и сплавах при металлографическом травлении. Продемонстрированы возможности средств оптического контрастирования, таких, как темное поле, поляризованный свет, дифференциально‑интерференционный контраст в выявлении ямок травления.

The article considers etch pits that appear in metals and alloys during metallographic etching as an artifact. The optical contrasting tools capabilities, such as dark field, polarized light, and differential interference contrast in detecting etch pits, are demonstrated.

ямки травленияполяризованный светтравлениефигуры растворениядислокацииetch pitspolarized lightetchingdissolution figuresdislocationsReferencesПшеничнов, Ю. П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю. П. Пшеничнов. М.: Металлургия, 1974. 528 с.Pshenichnov Ju. P. Vyjavlenie tonkoj struktury kristallov [Revealing the fine structure of crystals]. Moscow, Metallurgija Publ., 1974, 528 p.Железнов, В. Ю. Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера / В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С.И Миколуцкий и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2020. Т. 23. № 3. С. 203–212.Zheleznov V. Ju., Malinskij T. V., Mikoluckij S. I., Rogalin V. E., Filin S.A., Homich Ju.V., Jamshhikov V.A., Kaplunov I.A., Ivanova A. I. Modifikacija poverhnosti germanija pri vozdejstvii izluchenija nanosekundnogo ul’trafioletovogo lazera [Surface modification of germanium under the action of nanosecond ultraviolet laser radiation]. Izvestija vysshih uchebnyh zavedenij. Materialy jelektronnoj tehniki = News of higher educational institutions. Materials of electronic engineering, 2020, vol. 23, no. 3, pp. 203–212.Yongzhao Yao. Etch pit formation on β‑Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations / Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato et. al. // Journal of Alloys and Compounds. 2022. V. 910.Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Daisaku Yokoe, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa. Etch pit formation on β‑Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations. Journal of Alloys and Compounds. 2022. vol. 910.Liyang, Li. Characterization and formation mechanism of pits on diamond {100} face etched by molten potassium nitrite / Li Liyang, Xi Chen, Wei Zhang, Kun Peng // International Journal of Refractory Metals & Hard Materials. 2018. Vol. 71. Р. 129–134.Liyang Li, Xi Chen, Wei Zhang, Kun Peng. Characterization and formation mechanism of pits on diamond {100} face etched by molten potassium nitrite. International Journal of Refractory Metals & Hard Materials, 2018, vol. 71, pp.129–134.Persichetti, L. Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers / L. Persichetti, M. Fanfoni et. al. //Applied Surface Science. 2018. Vol. 462. Р. 86–94.Persichetti L., Fanfoni M., De Seta M., Di Gaspare L., Ottaviano L., Goletti C., Sgarlata A. Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers. Applied Surface Science, 2018, vol. 462, pp. 86–94.Самойлов, А. Н. Разработка методов выделения бинаризованных фрагментов ямок травления пластины полупроводника / А. Н. Самойлов, B. В. Шевченко // Информационные технологии. 2016. Т. 29. № 3/1. С. 60–68.Samojlov A. N., Shevchenko B. V. Razrabotka metodov vydelenija binarizovannyh fragmentov jamok travlenija plastiny poluprovodnika [Development of methods for isolating binarized fragments of etch pits in a semiconductor wafer]. Informacionnye tehnologii = Information Technology, 2016, no. 3/1, vol. 29, pp. 60–68.Пат. RU 2714304 C1 / О. И. Марков; опубл. 14.02.2020.Markov O. I. Patent RU, no. 2714304 C1, 14.02.2020.Пат. RU 2559815 C1 / А.В. Степанов, Л. А. Суханова, С. В. Рыбини др.; опубл. 10.08.2015.Stepanov A. V., Suhanova L.A., Rybin S. V., Fofanov S.A., Krysova E. L., Kozlov S.A. Patent RU, no. 2559815 C1, 10.08.2015.Пат. RU 2645041 C2 / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов; опубл. 15.02.2018.Markov O. I., Hripunov Ju. V. Patent RU, no. 2645041 C2, 15.02.2018.Анисович, А. Г. Искусство металлографии: использование методов оптического контрастирования /А.Г. Анисович// Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.‑тэхн. навук. 2016. № 1. С. 36–42.Anisovich A. G. Iskusstvo metallografii: ispol’zovanie metodov opticheskogo kontrastirovanija [The Art of Metallography: Using Optical Contrasting Techniques]. Vesci NAN Belarusi. Ser. fiz.‑tehn. navuk = Proceedings of the National Academy of sciences of Belarus. Physical‑technic series, 2016, no. 1, pp. 36–42.Anisovich, A. G. Applications of the Differential‑Interference Contrast Technique in Materials Science / A. G. Anisovich // Materials Evaluation. 2020. No. 8. Р. 925–933.Anisovich A. G. Applications of the Differential‑Interference Contrast Technique in Materials Science. Materials Evaluation, 2020, no. 8, pp. 925–933.Шаскольская, М. П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. М.: Высш. шк., 1976. 301 с.Shaskol’skaja M. P. Kristallografija [Crystallography]. Moscow, Vysshaja shkola Publ., 1976, 301 p.Четвериков, С. Д. Методика кристаллооптических исследований шлифов / С. Д. Четвериков. М.: Гос. изд‑во геолог. лит., 1949. 157 с.Chetverikov S. D. Metodika kristalloopticheskih issledovanij shlifov [Technique of crystal‑optical studies of thin sections]. Moscow, Gos. izd‑vo geolog. lit. Publ., 1949, 157 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.